絕緣柵雙極晶體管
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IGBT,英文名稱:Insulated Gate Bipolar Transistor,乃半導體器件的一種,主要用於控制電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機。
[编辑] 構造這種晶體管結合了MOSFET的高電流單柵控制特性及雙極性晶體管的低飽和電壓的能力,在單一的IGBT器件裡,會透過把一個隔離的場效應管(FET)結合,作為其控制輸入,並以雙極性晶體管作開關。 [编辑] 用途和特徵用于铁路电力机车(就是电动火车头)的动力电机控制,以及其它大型电动机的速度和功率控制. 是当今先进高速火车的关键技术器件 與GTO比較,IGBT的開關速度可比GTO更快,因此可以電流注入的形式,做出更完美的非線性波。 現時存在的IGBT大體有兩種,一款適用於高電壓,但開關速度較低;另一款適用於低電壓,但開關速度較高。 [编辑] 關連項目
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